研究
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研究合成的硫化铋银和汞硫化铋薄膜太阳能电池的应用程序
萨钦一Padwal*
科学与人文、政府理工Nashik印度
*相应的作者:
萨钦一Padwal
科学与人文、政府理工Nashik印度
电话:9373949931
电子邮件:(电子邮件保护)
收到:2021年9月21日;接受:2021年10月5日;发表:2021年10月12日
引用:Padwal SA。研究合成的硫化铋银和汞硫化铋薄膜太阳能电池的应用程序。垫Sci印第安纳j . 2021; 19 (6): 10。
文摘
涂料太阳能细胞(DSSCs)是一种很有前途的候选人为下一代的可再生光伏来源。有两种类型的半导体敏化太阳能细胞(精原细胞):极薄的吸收体(ETA)太阳能细胞和液体接触semiconductor-sensitized太阳能电池。许多半导体材料,包括cd、CdSe PbS和Sb2S3曾作为细胞的增敏剂。大多数的增敏剂属于二元金属硫族化物系统。三元半导体也是重要的太阳能电池材料。然而,三元金属硫族化物精原细胞已经少了很多探索,因为三元半导体更难以合成有三个元素,原子的化学计量必须是正确的。在目前的评论文章,使用医生刀片旋转涂布/涂层/化学浴沉积(CBD)和连续离子层吸附反应(SILAR),薄膜沉积二氧化钛的氟氧化锡(FTO)镀膜玻璃衬底。使用化学浴沉积(CBD)和连续离子层吸附反应(SILAR)沉积的薄膜AgBiS2和HgBiSx氟氧化锡(FTO)和二氧化钛。在目前的工作,不同的表征技术用于分析二氧化钛,AgBiS2 HgBiSx薄膜。的表征进行了x射线衍射(XRD)进行结构研究。
关键词:薄膜;医生刀片;旋转涂布;涂层CBD下降;Silar;光伏;二氧化钛
介绍
目前有很多太阳能研究发生在业内被称为第三代太阳能电池。这些新一代的太阳能细胞被制成各种新材料除了硅,包括碳纳米管、硅电线,太阳油墨使用传统的印刷技术,有机染料和导电塑料。最终目标是改善太阳能细胞已经商业化——通过太阳能能源在更广泛的太阳能更有效能源便宜(例如,包括红外),所以它可以被越来越多的人使用,开发更多和不同用途。第三代太阳能细胞可以超过理论太阳能转换效率限制单身吗能源阈值的材料。最近,三元AgSbS2电影和纳米颗粒被成功合成作为细胞的感光剂使用。AgBiS2属于一群我V−−VI半导体具有重要应用线性和非线性光电设备,热电装置,光记录媒体。大部分AgBiS2有能源如= 1.2 eV的差距,差距接近最优(1.39 eV)太阳能吸收器。它有一个高吸收系数α= 105厘米−1(在λ= 600海里)。的se two features give AgBiS2 the potential to be utilized for a high-efficiency solar absorber.
化学浴沉积薄膜沉积技术:
化学浴沉积(CBD)是一个缓慢的过程,有助于更好地定位微晶,晶粒结构有所改善。根据沉积条件下,膜增长可以通过ion-by-ion发生凝结材料的基质或胶体粒子的吸附在衬底的解决方案。
连续离子层吸附反应(SILAR)
SILAR是一个相对的方法。在这种方法中,第一步是特定吸附的最强烈吸附离子的化合物生长的基质浸在溶液中阳离子的先驱之一。第二步是,水冲洗多余的解决方案仍然坚持衬底。第三步之间的化学反应是最强烈的特定吸附阳离子和随后的强烈吸附阴离子的衬底越少沉浸在过度的解决方案,最后又水冲洗方案仍然坚持衬底。这理想的结果在一个单层的所需的化合物。图1和图2代表实验装置分别SILAR CBD和增长计划的方法。
本文分为两个主要部分。CBD的理论背景和MCBD方法,医生刀片,旋转涂布放涂层方法和硫属化合物薄膜沉积的调查CBD和MCBD方法讨论了第一部分。
纯固体的浓度是常数K和K”是常数,乐的产品也不断,说Ks。方程2.4成为我们得到,不断Ks称为溶度积和expressionC_A C_B ^ + ^ -被称为离子产品。当溶液饱和离子产品等于溶度积。离子产品超过溶解度时,溶液过饱和,降水发生在衬底和离子结合形成原子核和解决方案。有三个主要因素温度、溶剂和粒度、溶度积的影响。薄膜的形成,有最小数量的离子或分子需要产生一个稳定的第二阶段接触解决方案称为核。LD乐动体育官网核的形式在一个解决方案是取决于超饱和的程度。高等过饱和溶液的成核率成指数增加。
SILAR方法是基于序贯反应在衬底表面。清洗之前,每个反应,使异构反应和固相之间的溶剂化离子溶液中。SILAR过程旨在增加薄膜的水不溶性离子或离子的共价化合物类型KpAaby异构的化学反应在固溶体吸附阳离子之间的接口。
K代表阳离子,p代表阳离子的数量,对阳离子代表电荷的数值,X是一个离子在阳离子前驱负电荷,问代表的X阳离子前驱和b的数值指控在X, Y的离子与硫族元素离子,b′的Y阴离子的解决方案,问在Y′电荷的数值,代表了阴离子、′负离子的数量。硫族元素离子。在上面的络合剂,反应可以写成,C是络合剂。SILAR增长的基础它至少包括四个不同的步骤:吸附、清洗(I)、反应和洗涤(II)。
在这个SILAR过程的第一步,阳离子前驱溶液中吸附在衬底的表面,形成亥姆霍兹双电层。这一层由两层组成:内(带正电)和外部(带负电)层。积极层由阳离子和否定形式柜台阳离子的离子。
通过重复这些周期,薄薄的一层材料,KpAa,可以增加。上述步骤后的最大膜厚度增加每一个反应周期在理论上是一个单层。这个结果变成固体层复合KpAa。然而在实践中,厚度增加通常小于或大于一个单层。因此,这个过程包括衬底的交替浸泡在溶液中含有可溶性盐的阳离子化合物生长。基质支持日益增长的电影是每个沉浸在高纯度去离子水冲洗。
影响经济增长的因素现象是前体的质量解决方案,其pH值、浓度、反离子,个人冲洗和浸渍时间。此外,络合剂和预处理的底物已经被证明能够影响SILAR增长。
医生滚轴溜冰或磁带铸造是一种经济的方法生产大表面积的电影非常适合实验室工作,包括印刷、涂层,或者粘贴与叶片扩散到衬底组成的粘贴是非常重要的。粘贴可以由使用合适的溶剂;可以通过叶片传播糊掉。介孔膜可以通过这种方法形式。所需的薄膜可以由这种方法通过改变应用的压力。
在旋转涂布,过剩的解决方案是放在衬底。然后旋转基板在高速传播的流体离心力。旋转持续一段时间,流体被剥离基片的边缘,直到所需的膜厚度。溶剂通常是挥发性提供同时蒸发。
在这种方法中少量的解决方案是仔细样品表面的扩散,然后晒干。通过使用这种方法二氧化钛沉积。
硫属化合物近年来得到广泛的重视,因为他们的证明和潜在的应用在各种半导体设备。二氧化钛,硫化汞和银2形式的单晶,烧结球团矿和多晶材料在光电化学(压电)细胞,牛和红色氧化和减少物种和Eo是标准的电化学势。失去一个电子的逆过程称为氧化反应。
其中一个物种losesan电子和电子otherspecies收益构成氧化还原系统。电子能源在氧化还原电解质inanalogy的概念能源在固体状态,精力的变化反应这意味着我们引入一个自由电子向解决方案从无穷远处,让它占据anoxidized最低的电子状态物种没有救赎结构的变化。Thisgives的能源无人的状态。processgives恰恰相反能源被占领的国家减少物种)。
电子状态的概率函数在氧化还原电解质占领和闲置状态的总和,相当于在坚实的态密度函数。德雷德(E)和阿霉素(E)是由车手,Wox给出离子热分布函数的配置,和考克斯和C redare中离子浓度的解决方案。
在平衡时,这些职业能源州在氧化还原电解质又由费米分布函数。EF氧化还原相关电化学势,意味着自由能源改变每摩尔electronsin金属和氧化还原反应半导体可以执行与电解质的氧化还原反应。电子的转移或解决方案只能在发生能源区域的传导带,而ho1e转移可以发生在能源价带的区域。此类转移canoccurbetween同名同姓的两种状态的能量,一个空,一个填满。
氧化还原系统组成的可能是以下类型之一:
- 相同的金属离子价两种不同的状态,例如。亚锡,锡
- 两个离子携带不同的指控,e.9。氰亚铁酸盐铁氰化物
- 阴离子和阳离子的金属,例如高锰酸盐-magnanous离子系统
- 一个或多个固体,如硫酸铅-二氧化铅
- 有机化合物,e。g,醌-对苯二酚
电的光能源转换效率在半导体/液体接界细胞是由Photoelectro化学电池
一个典型的photocurrent-generated设备的类型半导体与电解LD乐动体育官网液接触,这通常称为光电化学电池。光电化学太阳能电池(压电)不仅可以产生电也是电化学能源并提供一个系统的基础与储能组件(压电陶瓷)。
光电化学系统有潜力不仅转换还储存太阳能。压电陶瓷的特性的细胞
- 当前潜在的特征
- 光伏特性
- 光响应
- 光谱响应
- 响应速度
- 平带
文献综述
黄P C首次报道的合成AgBiS2历届离子层吸附反应(SILAR)过程。在他的作品中描述的AgBiS2, TEM图像的几个人AgBiS2纳米颗粒平均直径16 nm,也大致圆形的。光学透射光谱T 150°C退火AgBiS2 (n)纳米粒子与各种数字SILAR周期n。传输随n的增加而降低,表明随着n的增加,更多的纳米材料生长在这张照片电极,导致增强的光学吸收。例如n = 4样本∼1.32 eV,这是略大于批量AgBiS2 (1.2 eV)。有趣的是,这如几乎等于最优如(1.39 eV)的太阳能吸收器,一个有益的属性为敏化剂材料。太阳的结构细胞包括一个紧凑的层,半导体敏化剂层和Pt反电极;在这些样品没有散射层。最初,短路电流密度(Jsc)和功率转换效率(η)增加SILAR周期(n)开路电压(Voc)和填充因数(FF)仅略有改变n。n = 4,获得了最佳的性能产生了Jsc = 5.76 mA / cm2, Voc =
0.16 V,效率η= 0.36%,之后,又开始减少。当一个非盟反电极单元中被用来取代Pt装配,效率(η)已经从0.41%上升到0.36。电流-电压曲线AgBiS2精原细胞在不同太阳的强度表明,效率增加而减少光强度。效率为14.8%的太阳η= 0.76%,提高43%相比,η= 0.53% 1。
AgBiS2精原细胞准备的光伏性能在不同厚度(5和12μm)的二氧化钛电极。因此,可以说,这两个AgBiS2细胞有相同的性能。更薄的二氧化钛膜包含一个小数量的半导体材料,进而减少光收获。但它也提供了一个较短的进行路径光电子,导致提高光电流集合。从他的工作黄P C等得出结论,AgBiS2精原细胞有几个显著的特点:(一)Jsc高7.61 mA / cm2;(b)的如(1.32 eV)接近最优的太阳能吸收器。太阳的效率0.76%(0.148)是可敬的,考虑到这是第一次AgBiS2精原细胞研究。
Calva Yanez后报道的合成AgBiS2 SILAR获得的吸收层的方法。他们的工作表明,使用立方AgBiS2 SILAR方法获得的三元硫族化物混合太阳能电池吸收层。通过优化SILAR周期的数量,一个干净的、可伸缩的方法呈现一个吸收材料,不需要限制,配位体交换和钝化步骤。表面光电压(SPV)分析和接触电位差(CPD)测量表明没有实质性障碍为多数载流子LD乐动体育官网提取二氧化钛/ AgBiS2接口,以及一个低陷阱密度,相比二硫属化合物。设备功率转换效率达到2.85%显示Jsc和Voc值类似报告备案细胞基于AgBiS2与更复杂的结构。
Pejova B合成AgBiS2使用化学和化学沉积方法。在这两种方法,他们使用反应系统是由以下组件:硝酸银,硝酸铋和硫代硫酸钠。第一个两种物质作为金属离子的前兆,而第三个扮演着双重角色:作为络合剂和硫离子的前兆。因为Bi3 +阳离子水解有很强的倾向,为了避免BiONO3降水,硝酸铋(III)是溶解在硝酸溶液(c(硝酸))= 2摩尔/ dm3)。最好的光电的表演最后合成3 d QD组件以薄膜形式实现了初始浓度的硝酸银和Bi 0.1摩尔dm-3(3号)3解决方案,1摩尔dm-3 Na2S2O3解决方案的初始浓度,保持这三个的体积比物种比。
罗德里格斯N报道AgBiS2薄膜的光学和电学性质CBD方法。在说工作银2薄膜从含银硫代硫酸盐化学浴沉积复杂和dimethylthiourea硫化物离子的来源。这种方法非常类似于CuS薄膜沉积的报道。电影的晶体性质的变化与退火、光学和电学性质。在化学沉积银2的沉积薄膜Bi2S3薄膜和三元化合物在加热的生产也报道。AgBiS2的薄膜显示出良好的一致性和依从性对硫化锌镀膜玻璃基板。他们的光能源带隙(0.96 - 1.36 eV)在所需的时间间隔作为吸收剂材料在太阳能电池结构。的导电性的纯(Ωcm) 10 1在吸收材料所需的范围内有效地吸收太阳能辐射的耗尽区结。
周报告的准备和AgBiS2光伏性能的量子点敏化二氧化钛纳米光电阳极的电化学原子层沉积(ECALD)技术。在这个工作中,初审,ECALD被用来种植AgBiS2三元量子点在二氧化钛纳米棒阵列基板。二氧化钛的光吸收性质关系,量子点敏化与AgBiS2,大大提高了0.95%的光电转换效率是实现在QDSSC组装AgBiS2敏化二氧化钛NRs光电阳极,Pt反电极和iodide-based电解质通过调整ECALD沉积周期。结论从这个工作是量子点AgBiS2历来成功是金红石二氧化钛NRs阵列上通过电化学原子沉积第一次的路线。通过调整沉积周期,方便控制二氧化钛NRs量子点的覆盖范围。0.95%的转换效率的光电流4.22 mA / cm2和开放电压0.53 V已经达到30个周期的样本。
近年来,利息的制备和研究三元硫族化物化合物的物理性质可能应用于太阳能电池、发光二极管和非线性光学设备增加了。许多报道都可以在化学沉积等三元复合薄膜,并建议他们领域的应用能源转换和太阳能能源利用由于修改电气和光学性质。然而,只有一个报告的合成(硫化汞)x (Bi2S3) 1−x,三元复合。结构也有很多兴趣,纳米电子和光学性质半导体薄膜由于其新颖性;他们的属性是不同的,通常优于传统的粗粒度的多晶散装材料是非常重要的半导体行业。的半导体材料Bi2S3和硫化汞收到了极大的关注,因为他们的带隙能量接近理论上可以达到的范围能源转换效率。Bi2S3的带隙和硫化汞早些时候报告了1.3和2.4 eV,分别躺在可见近红外区域。Bi2S3和硫化汞的复合材料带隙之间的带隙特性,将覆盖最大的太阳能能源光谱,因此高效的太阳能是很有帮助的能源细胞的谈话。各种技术已经用于Bi2S3和硫化汞薄膜沉积等化学浴沉积,SILAR、电泳、喷雾热解法等。
讨论
近年来,或利息半导体行业。的半导体材料Bi2S3和硫化汞收到了极大的关注,因为他们的带隙能量接近理论上可以达到的范围能源转换效率。Bi2S3的带隙和硫化汞早些时候报告了1.3和2.4 eV,分别躺在可见近红外区域。Bi2S3和硫化汞的复合材料带隙之间的带隙特性,将覆盖最大的太阳能能源光谱,因此高效的太阳能是很有帮助的能源细胞的谈话。各种技术已经用于Bi2S3和硫化汞薄膜沉积等化学浴沉积,SILAR、电泳、喷雾热解法等。
布劳尔S W报道合成HgBi2S4加热10 g的批撤离密封的石英玻璃管的组成元素。标本被加热到5000 c部分自由硫反应。随后的标本在摇炉加热熔融温度,整个内容,一般在700 - 10000 c,然后冷却到室温。标本被x射线粉末衍射检查。HgBi2S4对应的成分1:1摩尔硫化汞和Bi2S3基本上是单相。这种材料表现出的光伏效应。水星硫化铋至今没有报道合成了CBD或SILAR因此没有可用的文学是关于它。
Ubale U报道电气、光学和化学沉积形态性质的纳米HgS-Bi2S3复合薄膜。的工作显示合成的纳米晶体(硫化汞)x (Bi2S3) 1−x使用CBD方法复合薄膜。Hg的制备离子浓度等参数,Bi和硫、温度和pH值进行了优化,得到高质量的薄膜在玻璃上。依赖结构组成、光学、电气和形态学特性的电影研究了x射线衍射、光学吸收、电导率测量和扫描电镜研究。简便CBD方法可以用来沉积质量好(硫化汞)x (Bi2S3) 1−x复合薄膜。Bi2S3电影在本质上是无定形的,结晶度增加对硫化汞。光学特性表明,带隙能源根据成分变化从1.6到2.24 eV。减少x导致带隙减少由于合金硫化汞与低带隙Bi2S3。电阻率的变化和激活能源也是构成相关的。
硫化汞
硫化汞(硫化汞),一群族化合物复合立方相有大部分带隙约0.5 eV,可调的范围约为1.9 - -2.6 eV。R S帕蒂尔报道纳米晶体硫化汞薄膜沉积在室温下使用CBD方法。的结构、成分、表面形态和光学特征进行了纳米晶体性质的确认。的纳米晶体硫化汞薄膜沉积到FTO衬底被用作光电极压电陶瓷细胞和电流电压(电流-电压)和光伏输出功率特性进行了研究。XRD研究了硫化汞薄膜的面心立方结构。EDX显示硫的形成丰富的硫化汞薄膜。SEM研究表明硫化汞薄膜的纳米晶体性质。粒度从TEM观察是在良好的协议与计算出的值从SEM(36海里)。薄膜的光学带隙被发现2.75 eV。硫化汞电影显示polyiodide电解质的压电性能。年代年代甘蓝el报道硫化汞电影准备的影响的一些制备参数对硫化汞薄膜的性质研究的帮助下光学吸收x射线衍射、电子接受SEM和TEM技术。硫化汞沉积的电影,0.05 HgCl2解决方案是在一个烧杯,相同体积的0.1米Na2S2O3的解决方案是添加和清洁微幻灯片介绍了烧杯。沉积温度不一273 K和358 K之间沉积时间不同45分钟和72 h之间的关系。结果表明,在较低温度下沉积的硫化汞电影结果成更小的晶粒尺寸和膜厚度比沉积温度更高。 Due to smaller grain size and film thickness, HgS films show `blue shift' in band gap energy, Eg, and high electrical resistivity. R A Wagh investigated Fabrication of titanium dioxide (TiO2) and mercury sulfide (HgS) heterojunction for photo electrochemical study. Their work demonstrated the temporal chemical solution deposition of HgS nanocrystals over spin-coated titanium dioxide for photovoltaic application. The work displayed chemical bath deposition of hexagonal HgS crystals over the anatase TiO2 photoanode for solar cell application, which is first of its kind. The process of the HgS deposition on the surface of the TiO2 film was heterogeneous nucleation, which was visibly affected by the deposition time. The appropriate deposition time was determined as 45 min for the TiO2/HgS heterojunction using electron transfer and lifetime measurements through EIS. For the deposition time beyond 45 min, i.e., 60 min, the photovoltaic properties of TiO2/HgS-based cell started dropping due to the increased surface-charge recombination.
Bi2S3属于第5和6组,是一种很有前途的直接带隙半导体材料在光学带隙值的范围以薄膜形式1.3到1.7 eV。这可能使它适合光伏应用。N Kulkarni调查时间依赖合成水晶Bi2S3及其应用程序作为敏化剂SnO2为基础的太阳能电池。在这个工作与空心Bi2S3形态沉积的薄膜在室温下化学浴沉积。Bi2S3电影的结构、形态和光学性质进行了沉积时间的函数。研究光伏性质,敏感的SnO2光电阳极与Bi2S3取得成功通过化学浴沉积。太阳能电池组装使用SnO2-Bi2S3光电阳极显示开路电压(VOC) 357 mV,短路电流密度(JSC) 740.16μA cm-2和填充因子(F.F.)的31%。D J Desale合成Bi2S3薄膜使用连续离子层吸附和反应(SILAR)技术和优化各种制备参数,如离子浓度、温度和pH值获得高质量薄膜在玻璃衬底上。Bi2S3薄膜的x射线衍射模式揭示斜方晶系的晶体结构。SEM照片显示均匀沉积的材料在整个玻璃衬底。 The optical能源带隙观察从1.69下降到1.62 eV是分别沉积和退火的电影。电流-电压测量在黑暗和光照条件下(100 w)显示退火Bi2S3薄膜给好照片的反应。P S Sonawane沉积薄膜的Bi2S3 CBD方法。从这个工作得出的带隙继续增加增加%铋的成分是有蓝移的增加%的铋。粒度继续增加增加%的硫。化学计量和non-stoichiometric Bi2S3电影被观察到的n型。粒子数继续增加,平均粒径继续增加与减少% Bi2S3 Bi。的带隙能源从1.4到3.6 eV值是不同的。的带隙能源观察值对应于化学计量Bi2S3 1.71 eV。电影被观察到纳米。
二氧化钛/ SnO2 /氧化锌已经研究了光学和多样化的应用程序半导体行业,因为他们有趣的半导体和介电性能。二氧化钛尤其用于制作不同的电子设备,包括氧传感器、压敏电阻、电极等照片。n -二氧化钛,带隙能源3.2 eV光吸收主要在紫外区域和少量的光在可见光区域。然而,尽管这个缺点,多孔和紧凑的二氧化钛层发现许多应用程序由于其氧化能力高,稳定性和可降解。锐钛矿相的多孔二氧化钛薄膜可能完成这张照片下催化降解有机化合物的紫外线的辐射。它有很多领域的应用前景环保消毒、污水处理等。最近的兴趣主要集中在紫外线照射诱导两亲性二氧化钛表面,预计将适用于汽车挡风玻璃和镜子。另一方面,在替代能源领域,色素增感太阳能电池的现在是一个热门话题由于其高转换效率生产多孔二氧化钛电极组成的纳米级粒子的百分之几十与金红石相二氧化钛薄膜。不同类型的复合涂层的电影,如TiO2-CdS TiO2-ITO, TiO2-Al2O3, Cd3 P2 -二氧化钛等研究了光催化photo-electrochemical设备工作和发展。一个紧凑的涂层逮捕光解作用的二氧化钛是有用的低带隙半导体作为一个缓冲层固体太阳能细胞和dye-sensitive太阳能电池。纳米二氧化钛具有非常高的有效表面积和事件photon-to-current转换效率超过80%。因此,低成本制备二氧化钛光催化剂的固定小尺寸粒子对于实际应用是必要的。从实际应用的角度,一些方法来解决多孔和紧凑的二氧化钛层已经开发出来。
氧化锡(SnO2)薄膜是一种重要的透明导电氧化物(tco)和应用在各个领域,如太阳能电池,光电设备,热镜、气体传感器、等由于其电气和光学可见光谱的透明度。这是一个差距半导体光学差距约3.6 eV[25],吸收系数范围104 - 105 cm - 1。
氧化锌是一种宽带差距半导体族化合物的半导体组。氧化锌具有相对较大的直接带隙~ 3.3。氧化锌是一个多才多艺的和重要的氧化物材料由于其典型的属性,如电阻率控制范围10−3-10-5厘米,透明度在可见范围内,高电化学稳定,没有毒性,丰富的性质,它被广泛使用作为一种添加剂在许多材料和产品,包括橡胶、塑料、陶瓷、玻璃、水泥、润滑剂、涂料、药膏、粘合剂、密封剂、颜料、食品、电池、铁氧体、阻燃剂和急救磁带。氧化锌薄膜已经被用于压敏电阻、气体传感器、太阳能电池透明接触造作。LD乐动体育官网
结论
在目前的审查,我们已经描述了化学浴沉积的理论背景(CBD)金属硫族化物薄膜的制备。CBD方法很简单,便宜,方便大面积沉积金属硫族化物材料和能够产生高质量的薄膜。我们已经描述了连续离子层吸附反应法(SILAR)沉积二元金属硫族化物薄膜。SILAR方法是一种廉价的方法可用于制备金属硫族化物薄膜和避免浪费的材料没有在这个过程中形成沉淀。
我们还描述了旋转涂布,刮片放的二氧化钛涂层方法沉积薄膜氟氧化锡(FTO)镀膜玻璃衬底。我们已经讨论了光伏电池的理论方面和不同参数的脉冲涡流细胞。研究AgBiS2,有极大的兴趣和HgBiSx薄膜沉积的化学方法对其应用太阳能存储细胞和半导体设备。
承认
我感谢r·s·帕蒂尔博士对他有价值的帮助和指导我不时地研究工作。
