原文
数量:22 (11)DOI: 10.37532 / 0974 - 7419.2022.22 .226 (11)反应:表面科学观点
收到:2022年11月3日,手稿。tsac - 22 - 84075;编辑分配:2022年的11月5日,PreQC没有。- tsac - 22 - 84075 (PQ);综述:2022年11月19日,QC。tsac - 22 - 84075 (Q);修改后:2022年11月21日,手稿没有tsac - 22 - 84075 (R);发表日期:2022年11月23日。DOI: 10.37532 / 0974 - 7419.2022.22 .226 (11)
引用:将j .反应:表面科学观点。肛门化学印第安纳j . 2022; 22 (11): 226。
文摘
大约十年前,在表面科学基础研究的元素plasma-assisted蚀刻开始在世界各地的实验室。这个实验难题已经接近在很多方面,包括使用定向光束能量正离子和热能量活性分子/激进分子在特高压环境中模拟活性气体辉光放电环境;模拟活性气体辉光放电使用一束离子反应(反应离子束蚀刻),和认真让其它分析表面蚀刻在没有空气接触活性气体辉光放电。本文总结了这主要是未知的表面化学领域,将单独评估的工作报告使用第一种方法。理解大部分,表面和界面发生在二氧化钛光催化可以通过一种特殊的方式由于表面科学的学科。本文提出了新的研究提供分子水平理解photon-initiated现象发生在二氧化钛表面从表面科学的角度来看。本文的结构确定了七个主要科学问题。
关键字
钛oxidel;扫描隧道显微镜;单个水晶表面;附着力;催化
介绍
Plasma-assisted腐蚀,采用活性气体辉光放电腐蚀固体,是一个至关重要的步骤,制造大规模集成电路和在其他领域变得越来越重要。plasma-assisted蚀刻背后的基本原理是非常简单的:用分子气体辉光放电相对稳定的分子分割成高活性的原子或分子自由基,然后选择化学这些物种与固体被蚀刻反应生产挥发性产品。硅的腐蚀CF,辉光放电是最著名的该方法的说明。当使用一个提要气体辉光放电,CF,相当稳定,无毒,无电抗,轻松处理气体迅速水解成F原子和CF激进分子。
早期等离子体实验导致的启示,一些实现方法可以产生各向异性或腐蚀,导致发现的意义plasma-assisted蚀刻生产集成电路。这使得蚀刻的令人难以置信的细节没有损失最小的尺寸控制。设备的特征尺寸2 pm-3点或更少的顺序不能可靠地组合使用等向性蚀刻使用湿化学技术来完成。清洁,环境影响(大量的有毒液体的处理是避免),和与其他干燥过程进一步的兼容性方面,促使plasma-assisted蚀刻技术在制造过程的使用。
光催化反应的光子吸收步骤常常被认为是一个批量,或地下的过程。两个问题,使这一主题相关的表面。首先,表面的电子结构显著不同于大部分由于晶格截断和创建表面“悬空”的债券。表面状态或表面电荷转移复合物能够产生不同寻常的激发事件。第二,可以显著提高TiO表面光子吸收活动2纳米颗粒的整体光子吸收能力。例如,一个TiO2纳米颗粒的名义半径3到4 nm的surface-to-bulk原子比例约为1到10。在这种情况下,TiO2纳米材料的表面积。
结论
还有很多机会和困难。研究人员发现,R TiO2(110)表面提供一个研究平台是必不可少的关键机制TiO的关键2在控制条件下光催化。其他明确TiO的发展2表面(如重大R或方向)进行。还是研究人员是否能够使用单晶表面复制间接过程(OH)的创建和反应。添加剂的影响(如掺杂物,:,等等)TiO2光催化是许多研究的主题,但仍需要更多的研究在分子水平上了解这些添加剂影响的过程像光子吸收,电子转移和热/非热能的化学在二氧化钛表面。
