摘要

半金属合金HgCdTe拓扑绝缘子

作者(年代):孙文杰，王志强，王志强，P. Śliż， D. Żak *

HgCdTe (MCT)合金标准材料具有较强的spin-orbital相互作用这提升了G₈G以上波段₆一个．这是为什么是狄拉克点( G 6和 G8穿越的原因电子中的奇点形状线性色散零有效费米子质量)是意识到当MCT的组成为各种各样的从HgTe到CdTe3 d拓扑狄拉克半金属HgCdTe为a自然石墨烯的类似物3 d。

这篇论文是确认方式:实验后果磁子的运输a的测量广泛的c程序语言19层MCT的温度(x≈零．13-零酒精含量)增长通过MBE提供在我们的论文中。这是三个系列的样品:系列A - GaAs/CdTe衬底上的应变薄层(约100 nm厚);AB系列-在ZnCdTe衬底上没有应变薄层，B系列-在ZnCdTe衬底上有厚层(约1000 nm厚)。对样品A9，即R_xx(B)和R_xy(B)曲线(见图1)，在0.4 K至50 K的宽范围内，显示了R中定义良好的量化高原_xyh/(2e²) = 12.9 kΩ，并伴有消失的R_xx在0.4 K时观察到二维电子气的整数量子霍尔效应(IQHE)和Shubnikov-de Haas (SdH)振荡特征。R_xx(B)和R_xy(B)曲线在20 K以下是可重现的，在此温度以上，观察到整数量子霍尔电导率(IQHC)高达50 K。这可以通过拓扑学上的电导率表面保护州(支持)。一个精致的温度稳定sdh振荡期振幅是发现了整个温度C程序语言时期的测量和…一样多50好吧有关系列AB(图2)和系列B(图2)。)．在没有应变层的情况下(系列AB和B)，假定TPSS也有助于(并主导)大块样品的电导。

的解释收到了实验效果可能完全基于kp -理论的乐队结构与轴向应力(A系列样品)。风扇的朗道水平可以计算使用带电子的狄拉克方程步伐在费米水平vF= 106 m/s这要大得多比其他3 d是。作为拓扑绝缘体(IT) HgCdTe重要的优势：高成本费米的速度- - - - - -差不多石墨烯,这就增加了TI在未来应用中的吸引力:作为无质量的Weyl费米子。