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非晶的光学参数和内存切换Se70Te15Bi15薄膜
作者(年代):H.E.Atyia电影Se70Te15Bi15沉积在室温下,用热蒸发的玻璃和高温石墨基质。x射线衍射模式确认Se70Te15Bi15电影有一种无形的自然。a-Se70Te15Bi15薄膜的光学性质特征通过使用分光光度测量的透射和反射光谱范围(400 - 2500海里)。折射率色散曲线显示了反常色散吸收区域和一个正常的地区传播。分析吸收系数的依赖iAA¡光子能量的显示允许间接转换能源缺口iAA»1.72 ev。旋光色散参数根据toWemple andDidomenco模型确定。电阻的温度依赖性表明平行直线,表明单一活化能iAAAAEiAA³filmthickness独立。研究静态和动态电流电压(IAAAV)特征a-Se70Te15Bi15电影揭示了amemory开关。切换电压的平均值Vth增加而增加膜厚,随着温度增加而减小。切换电压活化能的值计算。计算比率iAA¥iAA¯iAAAAEiAA³= 0.54几乎是0.5,理论上electrothermalmodel的基础上获得的。 Therefore, the switching phenomenonin a-Se70Te15Bi15 films can be explained according to a physical model based on the electrothermal breakdown theory.
