文摘
合成和电气铋掺杂氧化钇的描述
作者(年代):g . Bhavani s Ganesan s Selvasekarapandian Monisha和m . Premalatha纳米尺度的金属氧化物,在各种各样的形态(如粒子、球体、棒和表),吸引了大量的注意力在广泛领域的研究和技术。氧化钇作为重要成员在稀土化合物,近年来一直积极研究。它是最有前途的元素作为mosfet的栅材料代替二氧化硅。因此选择氧化钇作为研究的主晶格和简单,成本有效的降水方法选择合成方法。纯氧化钇和铋掺杂氧化钇的三个样品由溶胶-凝胶法制备掺杂浓度。红外光谱研究证实样品的官能团的存在。XRD研究表明非晶与广泛的驼峰自然纯氧化钇样品和更好的结晶度是观察铋掺杂氧化钇样本。从电气研究已经观察到的最大电导率是纯粹的样本实现。进一步,还观察到纯样品介电常数的值最高比铋掺杂氧化钇样本。这可能由于洞宿主氧化钇的引入。电介质研究表明,损耗角正切发现少在高频率。
