摘要

4H-SiC基板端面湿热氧化表面形貌分析

作者(年代):Sanjeev Kumar Gupta, Ameer Azam和Jamil Akhtar

利用导电原子力显微镜(C-AFM)和表面轮廓仪对4H-SiC富硅和富c表面SiO2的表面形貌进行了实验分析。在1110℃的卧式石英炉中进行湿式热氧化，分子氧流量为30分钟至180分钟。4H-SiC晶圆c面氧化速率比si面快近10倍。基于触控笔的表面轮廓仪和椭圆仪分别用于氧化表面粗糙度和氧化厚度的测量。我们报道了氧化后c面比si面具有更高的粗糙度和更高的原子密度。4H-SiC表面的裸露表面对各自热生长氧化物的粗糙度有贡献。由于其外延特性，4H-SiC的si面表面比c面表面光滑。在等高模式下，利用原子力显微镜捕捉了硅面和c面氧化物的原子尺度表面形貌。为了产生统计数据，每次实验都要氧化一些样品。