摘要

Ag(In1-xGax)5Te8的结构、热学和光学性质

作者(年代):拉里萨T.DurAƒ¡n,伊斯塔ƒ一©一旦麦地那,Jaime A.Castro JosAƒ一©R.FermAƒ,里卡多J.Morales,卡洛斯A.Durante里加ƒ³n

ag (In1-xGax)5Te8 (0ï‑£xï‑£1)体系的锭是通过在真空石英安瓿中直接融合元素的化学计量混合物制备的。对x射线粉末衍射数据的分析表明，所有所研究的成分在室温下都存在具有四方结构的单相。计算了晶格参数a和c。熔点温度从AgIn5Te8的696ºC到AgGa5Te8的775ºC，是通过对真空石英安瓿中的样品进行差热分析得到的。反射率测量用于计算带隙能量和实际折射率。在富in化合物中发现了直接带隙，范围为1.34 ~ 1.39 eV (0ï£xï£0.4)，而在所有研究的化合物中都发现了间接带隙，范围为1.11 ~ 1.14 eV (0ï£xï£1)。