摘要

PbSe双层薄膜的结构、光学、形态和电学性质

作者(年代):V.Arivazhagan, M.Manonmani Parvathi, S.Rajesh

采用热蒸发法制备了铅、硒连续镀膜的双层PbSe薄膜。采用低(0ï‑‑C)至高(100ï‑‑C)的衬底温度对其结构、光学和电学性能分别进行了xrd、UV和Hall测试。x射线分析表明所制备的薄膜具有立方结构的多晶性质。研究了PbSe在(2 0 0)面对应的相对最强峰。光学研究表明，吸收边缘从较低的波长开始，表明在铅和硒层的界面上形成了PbSe纳米颗粒。计算的带隙值在3.35 ~ 3.75 eV之间，远大于PbSe材料的体带隙值。扫描电镜图像显示了Pb-Se双层薄膜的表面形貌，并在低温衬底薄膜上观察到纳米针状结构。薄膜的载流子浓度和迁移率分别为3.244 × 1011 cm-2 ~ 107X1011 cm-2和0.197X101cm2/Vs ~ 23.17X101cm2/Vs。薄膜的电阻率变化范围为0.416 ~ 3.198X102ï .1 /sq，电阻率也在文中报道。