文摘

结构、电气和光学性质的ATO薄膜通过浸渍涂敷方法制作的

作者(年代):T.M.Hammad, N.K.Hejazy

Antimony-doped oxideATO锡薄膜是由浸渍涂敷方法。锑掺杂的影响结构,电气和光学特性的氧化锡薄膜。氯化锡(II)脱水(4 SnCl2·h2o)和三氯化锑(SbCl3)用作主机和掺杂剂前体。x射线衍射分析表明,non-doped SnO2薄膜首选(211)取向,但随着Sb-doping浓度增加,首选(200)定位观察。电阻率最低(约5.4×三分U.cm)获得了2。% Sb-doped电影。Antimony-doping导致inHallmobility载体浓度的增加和减少。透光观察ofATO电影在2增加到96%。% Sb-doping,然后它是更高层次的锑掺杂降低了。