摘要

纳米热蒸发CuInS2薄膜太阳能电池的结构和光学性能

作者(年代):M.Dongol, M.Mobarak, A.El-denglawey

采用热蒸发技术制备了二硫化铜铟、CuInS2和CIS薄膜。在玻璃基板上制备产品膜，并在固定时间、不同温度下进行热处理。采用能量色散谱(EDS)、x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光学反射和透射测试等方法对其结构和光学性能进行了研究。退火薄膜的光学带隙在1.47 eV范围内增加到1.61 eV。退火温度范围为523 ~ 723 K。光学间隙的增大主要是由于纳米结构性质和晶粒尺寸的增大。结合目前的理论观点对所得结果进行了讨论。