文摘
结构和光学特性的¢-FeSi2层由离子束合成
作者(年代):Ayache•拉希德Bouabellou Abderrahmane埋层的半导体铁二硅化物已经被植入合成的铁离子能源195 keV的剂量2 x1017铁+ / cm2 Si(111)晶片,维持在500°C,紧随其后的是氮气退火大气在750°C 90分钟,卢瑟福背散射光谱法(苏格兰皇家银行)和x射线衍射(XRD)极图被用来研究的增长和结构形成铁二硅化物,和深度剖面的铁和硅元素的原子组成。真忙外延growthwith Si (111) planeswith外延的关系a-FeSi2 (220) / / Si(111)和/或a-FeSi2 (202) / / Si (111)。已测量的光学特征得到样本在室温下(RT)通过红外(IR)和拉曼光谱,并与结构相关的属性。
