文摘

钴掺杂SnO2薄膜的结构和电气性能

作者(年代):最低点Fadhil Habubi, Ghuson H。穆罕默德,Saad Farhan Oboudi萨米萨尔曼·方面

在这工作,纯和掺杂SnO2薄膜与不同浓度的公司(3和7)% wt。已经由化学喷雾热解法对玻璃基板预热到500°C。这些电影的结构已经检查使用x射线衍射分析,结果表明,纯电影非晶和转换成多晶与Co掺杂后具有较强的晶体取向(110)和与公司内容的增加略有影响。这些电影的电特性,研究了不同浓度的有限公司所有沉积薄膜的特区电导率随公司内容增加而降低,而电阻率增加。同时,发现有两个地区的活化能和电激活能量的浓度增高而增强Co.Hallmeasurements表明,所有的电影都是n型和载体浓度随Co浓度的增加而减小。另外,我们观察到themobility公司内容的增加而增加,而漂移速度会增加。