文摘

稳态和瞬态电子运输散装氧化锌和Zn1-xMgxO半导体

作者(年代):F。Nofeli, H。Arabshahi, M.H.Tayarani

在这部作品中,一个调查的稳态电子传递和电子传递高瞬态电场和低场电子迁移率特征ofwurtzite氧化锌和Zn1_xMgxO检查使用ensembleMonte卡罗模型。使用three-valley TheMonte卡进行计算模型系统考虑。我下面的散射机制,。e、杂质、极性光学声子和声学声子是包括在计算中。Themaximumelectron漂移速度,获得室温下1023 m3施主浓度为2.36×107 cms-1 ZnOin阈值场461 kV /厘米。而最大电子漂移速度是1.65×107 cms-1 Zn0.95Mg0.05O阈值领域861 kV /厘米。Themaximumelectronmobility ZnO886厘米2 / V。年代和在variuos Zn1_xMgxO x = 0.05, 0.1和0.2是304、132和33厘米2 / V。分别。可以看出大部分氧化锌的峰值漂移速度是2.36×107 cms-1,而对于Zn1_xMgxO峰值漂移速度降低由于增加电子有效质量。氧化锌的电子迁移率比ZnMgo alloysat所有温度becauseelectron流动行为有效质量和电离杂质浓度的依赖。