摘要

溴化银蚀刻微晶的日晒性质

作者(年代):亚历山大·鲍里索维奇·皮文，奥列格·鲍里索维奇·皮文，尤里·m·洛帕特金

分析了硫代硫酸钠溶液蚀刻AgBr微晶表面产生巨大晶潜像中心的原因。结果表明，在ë = 850 nm、功率P = 4瓦特的脉冲2ï 10-7秒内，产生蚀刻坑的电压电位为ï…ï ï»102V/sm。磁场影响着巨大的潜在图像中心的形成。