摘要

有序空位化合物CuIn7Se12的光导性能

作者(年代):瑞秋·里娜·菲利普，b .普拉迪普，s .丹雅

在10K到300K的温度范围内，对CuIn7Se12的薄膜进行了光电导测量，CuInSe2的每6个单元中包含一对缺陷配合物(2VCu-+InCu++)和两个中性Cu空位。瞬态光电导率曲线在光照下的电导率迅速升高，而在光照下的电导率迅速下降，解释为光照下的晶粒间势垒降低和光照下的势垒恢复的结果。观察到的非指数长期衰变暗示了一个与衰变过程相关的深层排空过程。研究了材料光敏性的温度依赖性和衰减常数。通过对暗电导率和稳态光导测量的分析，得到了从0.09 eV到0.0024 eV的势垒高度变化，证实了瞬态光导的推论。进行光致发光和光谱响应测量以获得关于样品中存在的缺陷的信息。