摘要

高能铅离子引起氟化锂缺陷的光学和原子力显微镜分析

作者(年代):H.Benhacine, A.Meftah, M.Izerrouken, S.Kadid

采用原子力显微镜(AFM)和光学测量(吸收和光致发光)对正常入射下能量在140 ~ 840mev和1 × 109 ~ 4 × 1012离子/cm2范围内的氟化锂单晶样品进行了表征。光学测量表明，F中心浓度随着通量的增加而增加，在更高的通量时达到饱和。F中心团聚体F2和ï′«3 F在相同的通量范围内呈线性增加。利用饱和轨道模型推导出的轨道半径随电子停车功率的增大而线性增大。当平均能量损失分别为11 ~ 25eV/nm时，能量损失范围为9 ~ 22 nnm。在环境条件下，用原子力显微镜观察了离子对表面的损伤。afm显示圆形损伤区，由小山丘组成。轨道横截面的平均直径取决于电子停止力ï′¨ï′©e dE dx，从9到16纳米不等，高度为几纳米。