文摘

集成多通道heterotransistors率的增加

作者(年代):E.L.丢车,E.A.Bulaeva

在本文中,我们考虑一个方法增加集成率foeld-effect heterotransistors。基于异质结构制造的方法需要的配置,掺杂的异质结构所需的区域扩散或离子注入和退火优化掺杂剂和/或辐射的缺陷。框架这篇文章中,我们考虑一个可能性制造与几个频道。制造多通道晶体管给了我们一个可能性增加集成的晶体管和增加电流的晶体管。