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摘要

纳米级MOS电容器建模

作者(年代):A.G.Anastopoulos

通过包含半导体和氧化物厚度、掺杂水平以及氧化物/半导体界面和半导体背面(即氧化物-半导体接触对面)的能态影响的方程,对具有纳米厚度的半导体和氧化物层的MOS电容器的电容/电压特性进行了建模。LD乐动体育官网通过不同于零的背电位,介绍了半导体厚度对器件阻抗特性的影响。导出了平衡和非平衡条件下的模型方程,实际上对应于从低于10hz到高于1kHz的测量频率。


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