摘要

二卤钨微结构缺陷参数的测量:锂离子电池应用的有用材料。

作者(年代):T.K.Mandal, G.Bhoj

晶粒尺寸(P)、位错密度(ï .²)、rms应变( )1/2，利用x射线衍射(XRD)对磺硒化钨、WS2-xSex (0ï‑xï‑2)化合物进行了分析，评估了层错概率(ï±)、层间距变化分数(g)和缺陷影响的平面比例(ï§)。这些结构缺陷参数与组成变化相关。电导率随组成的变化也与结构缺陷参数P，ï .²，( )1/2， ï × ï′、ï′g和ï§。室温电导率测试表明ws2 - xsex (0ï‑xï‑2)化合物具有半导体行为。微结构缺陷参数与电导率相关。