摘要

二卤钨微结构缺陷参数的测量:锂离子电池应用的有用材料

作者(年代):T.K.Mandal, G.Bhoj

显微结构缺陷参数如晶粒尺寸(P)、位错密度(ïÂ。 )1/2，在x射线衍射(XRD)的帮助下，对硫代硒化钨、WS2-xSex (0ï£xï£2)化合物进行了分析，评估了层错概率(ïÂ × ×)、层间距的分数变化(g)和缺陷影响的平面比例(ï ק)。这些结构缺陷参数与组成变化相关。电导率随组成的变化也与结构缺陷参数如P、ïÂ、( )1/2， ï ï '¬ï ' g和ï§。室温电导率测定表明ws2 - xsex (0ï xï 2)化合物具有半导体性质。微结构缺陷参数与电导率相关。