摘要

沉积温度对化学浴沉积法制备纳米As2S3薄膜结构和光学性能的影响

作者(年代):A.U.Ubale, V.P.Deshpande

本文报道了采用化学浴沉积法(CBD)在不同浴温下在非晶玻璃衬底上生长As2S3薄膜。在283 ~ 333K的沉积温度范围内沉积薄膜，研究了镀液温度对薄膜结构、电学和光学性能的影响。x射线衍射研究表明，303K以下沉积的薄膜为无定形，303K以上为单斜结构的多晶。研究了沉积温度对生长速率和电导率的影响。在As2S3的光学带隙能量中观察到0.4eV的蓝移，这支持了由于电子的量子限制而发生的量子尺寸效应。随着薄膜厚度从67 nm增加到265 nm，活化能从0.23 eV降低到0.11 eV。