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稀释气体对结构的影响,属性和增长的氢化纳米晶体硅(实际:H)由HW-CVD方法

作者(年代):Nabeel。•克尔,Tahseen H。穆巴拉克,最低点F.Habubi

在这个工作我们现在详细的结构、光学和电子特性的氢化纳米晶体硅(实际:H)薄膜增加了热丝化学气相沉积(HW-CVD)氢气(H2)的函数,氩氦(Ar)和(他)稀释硅烷。拉曼等多种分析技术光谱学(RS), x射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱,紫外可见光谱学和电导率测量被用来描述电影。我们观察到这些属性是影响很大的稀释硅烷与H2, Ar和他。拉曼表征这些电影光谱学和低角x射线衍射显示H2的增加andAr稀释硅烷赞同结晶度的增长的电影他稀释硅烷恶化而增加电影的属性。已,却试图解释nanocrystallization增长的根本差异机制,增加H2,基于“增大化现实”技术,他在硅烷。