摘要
室温下生长的含铜ZnS薄膜类亲水半导体微芯片
作者(年代):G.M.Lohar, J.V.Thombare, s.k.c hinde, b.p.a rekar, H.D.Dhaygude, V.J.Fulari在恒定的沉积电位下，采用电沉积法在导电衬底上制备了铜掺杂ZnS薄膜。采用循环伏安法(CV)测定了ZnS和Cu掺杂ZnS薄膜的沉积电位。采用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis absorption spectroscopy)和接触角测量等手段对制备的薄膜进行了表征。LD乐动体育官网XRD研究表明，电沉积的3%的Cu掺杂ZnS薄膜为多晶。sem图像显示了类似微芯片的微结构，Cu掺杂ZnS晶粒均匀沉积。带隙能为4.1 eV的紫外光-可见吸收研究证实了Cu掺杂ZnS薄膜的半导体性质。在3% Cu掺杂ZnS薄膜中，接触角的最LD乐动体育官网大值为25°，这证实了Cu掺杂ZnS薄膜的亲水性。
