摘要

电子束蒸发沉积n型锑化铟薄膜结构的生长与表征

作者(年代):拉胡尔，S.R.Vishwakarma, Ravishankar Nath Tripathi, Aneet Kumar Verma

小带隙的茚磺酰亚胺是红外探测器和光源的重要材料。在高真空室中，以10-5托的压力在玻璃衬底上沉积了锑化铟薄膜。在真空镀膜装置中，以铟(99.999%)和锑(99.999%)金属粉末为原料，采用In1-xSbx公式(其中x为变量，值为0.2 ~ 0.4)，在真空10-5 torr条件下生长，制备n型铟锰酰胺薄膜。样品及其薄膜的x射线衍射研究证实了其多晶性质，并沿(111)，(220)面显示出优先取向。利用起始材料及其薄膜的XRD数据对其粒径(D)、位错密度(ä)和应变(å)进行了评价。晶粒尺寸随着温度和组成比(In/Sb)的增加而增大，位错密度和应变随着温度和组成比(In/Sb)的增加而减小。