文摘

冻结干燥的合成和微观结构性能的优化Ir - (3) doped-GdBCO半导体材料

作者(年代):哈立德·M。Elsabawy, Mohsen M。Al-Qahtany, Khaled Eltwerky

半导体样品用公式0.3 Gd0.7Ir ba2cu3oz使用解决方案路线合成技术getmaximumhomogeneity内部大量的重复。结构性andmicrostructural propertiesweremonitoring评估,利用XRD和SEM提醒铜酸盐具有半导体正方证明的x射线衍射图阶段,材料的晶粒尺寸大部分被发现在0.23 - -0.72之间我m。磁测量表明,Ir-doped钆铜酸盐systemexhibits半导体行为确认铱洞掺杂提高semi-conduction正方铜酸盐的机制。