摘要

Au/n -Si,Au/n- gaas,Au/n- inpschottky二极管的电学性质

作者(年代):R.K.Singh

采用真空沉积au在n-Si(体)、n-GaAS (L.P.E，)和n-InP(体)上制备肖特基势垒二极管，通过i - v&c - v测量方法研究了器件性能。用铝在n-硅上做欧姆接触，用金铟合金在n-GaAs&InP上做LD乐动体育官网欧姆接触。计算了供体浓度Nd、势垒高(ÖB)、耗尽宽度(W)等电学性质。特别讨论了提高au /n-InP性能的方法，并报道了其理想因子(ç)。