摘要

衬底温度对电子束蒸发氧化铟锡晶须生长的影响

作者(年代):S.N.Alamri

采用电子束技术在钠钙玻璃表面沉积了氧化铟锡薄膜(ITO)，衬底温度为50 ~ 300℃。被表征的特性包括结构、表面形貌、电阻率、迁移率、透过率、反射率和光学带隙。用扫描电子显微镜和x射线衍射进行结构表征。将基材温度从50℃提高到300℃，通过增加晶粒尺寸，itofilms厚度增加了3倍以上。随着衬底温度的升高，ITO薄膜的微观结构由无定形转变为多晶结构。薄膜的透光率随厚度的增加而增加，反射率降低。薄膜的光学带隙Eg从150℃沉积时的3.8 eV增加到300℃沉积时的3.94 eV。薄膜的电阻率和迁移率在2500C时分别下降和上升，在3000C时下降，这可能是由于观察到的晶须的形成。