文摘 在多晶硅thin-filmtransistors栅氧化层厚度的影响 作者(年代):已经古普塔Kiran沙玛 这项工作提出了研究栅氧化层厚度的影响性能的轻掺杂多晶硅thin-filmtransistors拥有大量谷物。可以看出氧化按比例缩小的厚度是一个非常有效的方法减少阈值电压,从而改善聚- Si TFT特性。之间的良好拟合分析结果和实验数据支持该模型的有效性。 PDF 分享这