7187379870

所有提交的电磁系统将被重定向到在线手稿提交系统。作者请直接提交文章在线手稿提交系统各自的杂志。

文摘

在多晶硅thin-filmtransistors栅氧化层厚度的影响

作者(年代):已经古普塔Kiran沙玛

这项工作提出了研究栅氧化层厚度的影响性能的轻掺杂多晶硅thin-filmtransistors拥有大量谷物。可以看出氧化按比例缩小的厚度是一个非常有效的方法减少阈值电压,从而改善聚- Si TFT特性。之间的良好拟合分析结果和实验数据支持该模型的有效性。


分享这
谷歌学者引用报告
引用次数:337

材料科学:一个印度杂志收到337引用根据谷歌学者报告

编入索引中

  • 卡斯商学院
  • 谷歌学术搜索
  • 打开J门
  • 中国国家知识基础设施(CNKI)
  • 宇宙如果
  • 目录索引》杂志上的研究(DRJI)
  • 秘密搜索引擎实验室
  • ICMJE

查看更多

摩天观景轮