摘要

沉积参数对n型硒化镉薄膜结构和电学性能的影响

作者(年代):Aneet Kumar Verma, S.R.Vishwakarma, Ravishankar Nath Tripathi, Rahul

CdSe是一种重要的化合物半导体材料，在太阳能电池、高效薄膜晶体管等固态器件中有着广泛的应用。近年来，人们主要关注结构和电学性质的研究，以提高这种器件的性能及其应用。在真空镀膜装置中，采用电子束蒸发技术，在真空10-5 torr真空条件下，以Cd(99.999%)和Se(99.999%)不同成分的硒化镉材料在玻璃衬底上制备了n型CdSe薄膜，并将衬底保持在室温下，研究了镉硒成分比对薄膜的影响，并评价了n型CdSe薄膜的晶粒尺寸、电阻率、hallmobility和载流子浓度。