文摘
依赖的低温电阻率铁薄膜的厚度、衬底温度和沉积速率
作者(年代):Santoshkumar, T。Sankarappa, P.J.Sadashivaiah在高vacuumconditions,使用电子beamgun evaporationmethod铁电影不同的厚度是沉积在玻璃基板上。这些电影已经调查了电阻率在80 k到300 k的温度范围内。残余电阻率、存款准备金率和电阻温度系数,识别、确定和讨论。权力的法律建立了电阻率对温度的依赖关系。电阻率的厚度依赖已经被认为是Fuchs-Sondheimar理论和无限厚膜的电阻率,n0, electronmean自由程,l,确定。薄膜的沉积速率的影响电阻率进行了研究。电阻率随衬底温度的增加而降低,是由于较大的微晶的形成与提高衬底温度。2 A / s的沉积速率是观察到的铁电影最优速率最小电阻率可以生产。第一次是铁的电影一直在调查singlemeasuring设置低温度的电阻率和厚度的依赖电影,衬底温度和沉积速率。
