摘要

交直流电压作用下SmF3薄膜的行为研究

作者(年代):m.v.a ramana Reddy和Katta Narasimha Reddy

采用真空热蒸发法制备氟化钐薄膜。采用Tolansky多光束干涉法测量薄膜厚度。研究了直流电压对电容和损耗正切的影响。研究了在给定直流电压下电容的衰减特性。研究了交流电压和温度(77K至室温以上)对电容和损耗正切的影响，并对结果进行了讨论。ï 2006 TrLD乐动体育官网ade Science Inc. -印度