摘要

提高场效应异质晶体管结构电路NAND和and密度的方法

作者(年代):Pankratov EL和Bulaeva EA

本文介绍了一种提高场效应异质晶体管密度的方法，该方法将NAND电路和and电路集成在其内部。该方法基于制造异质结构的特定构型。在制造之后，我们考虑通过扩散或离子注入来掺杂异质结构的几个区域。掺杂后，我们考虑了掺杂剂的优化退火和离子注入过程中产生的辐射缺陷。我们考虑了错配诱导应力影响下掺杂剂和辐射缺陷的再分布。计算结果与实验结果进行了比较。