摘要

NaYF4薄膜的老化和介电响应

作者(年代):m.v.a ramana Reddy和Katta Narasimha Reddy

在真空(10-5托)条件下采用真空热蒸发法制备了氟化钇钠薄膜。用Tolansky干涉技术测量薄膜的厚度。研究了老化、交流电压随电容和损耗正切的变化规律。研究了在给定交流电压下薄膜电容器的衰减行为，以及电容随频率变化的百分比，并讨论了结果。ï 2006 TrLD乐动体育官网ade Science Inc. -印度